Obrázek má ilustrační charakter, prostudujte si prosím technickou specifikaci v detailech zboží.

VNS1NV04DPTR-E | STMICROELECTRONICS

Tranzistor MOSFET OMNIFET II N 1,7A/40V SO8
Obj.číslo: 142309
Min. odběr: 1 ks
Dovolené odběr. množství: 1 ks (1, 2, 3 ... ks)
Kategorie: Tranzistory unipolární výkonové
Druh zboží: Na objednávku
Výrobce: STMICROELECTRONICS
Zobrazené ceny jsou určeny pro koncového zákazníka a jsou uváděny bez DPH. Cenu garantujeme pouze pro zboží, které je momentálně na skladě.
Objednávám: ks -
  • Vložit do košíku
  • Vyžádat cenu
  • Přidat k oblíbeným
  • Sledovat položku
  • Přidat produkt do porovnávače

VNS1NV04DPTR-E
Tranzistor MOSFET OMNIFET II N 1,7A/40V SO8

Obrázek má ilustrační charakter, prostudujte si prosím technickou specifikaci v detailech zboží.

Obj.číslo: 142309
Min. odběr: 1 ks
Dovolené odběr. množství: 1 ks (1, 2, 3 ... ks)
Kategorie: Tranzistory unipolární výkonové
Druh zboží: Na objednávku
Výrobce: STMICROELECTRONICS

Zobrazené ceny jsou určeny pro koncového zákazníka a jsou uváděny bez DPH. Cenu garantujeme pouze pro zboží, které je momentálně na skladě.

Objednávám: ks -
  • Vložit do košíku
  • Vyžádat cenu
  • Přidat k oblíbeným
  • Sledovat položku
  • Přidat produkt do porovnávače

Technické parametry

Výrobce STMICROELECTRONICS
Typ Power
Polarity MOSFET N
Power 4 W
Case SO8
Mounting Type SMD
Drain-Source Breakdown Voltage 40 V
Gate-Source Breakdown Voltage - V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500 mOhm / 0,5A / 5V
Continuous Drain Current 1,7A
On/Off Time (Max) 200ns/1000ns
On Resistance Max. 500 mOhm
Operating Voltage 40 V
Výstupní proud A 1,7 A
RoHS Ano

Dokumenty ke stažení

Katalogový list výrobce:
Soubory cookie nám pomáhají poskytovat služby. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s používáním souborů cookie.
OK Více informací